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本論文係以射頻電漿輔助化學氣相沉積法,來探討單晶矽異質接合的最佳化程序,包含將本質層非晶矽沉積於n型單晶矽基材,以及沉積p型與n型非晶矽摻雜層。所使用的摻雜源為毒性稀釋之三甲基硼及三丁基磷。 本實驗…
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…